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[发明专利]基于衍射的聚焦度量-CN201780063522.8有效
发明人： V·莱温斯基 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2017-06-02 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：单元包括具有粗节距的周期性结构及以细节距布置的多个元件。所述粗节距是所述细节距的整数倍，其中所述细节距在一个设计规则节距与两个设计规则节距之间且小于测量分辨率，且所述粗节距大于所述测量分辨率。
基于衍射聚焦度量

[发明专利]不对称像差的估计-CN201880098352.1在审
发明人： Y·弗莱;V·莱温斯基 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：目标包括具有相同粗略节距、相同1:1线与空间比且按相同精细节距分割成精细元件的一或多对分段周期性结构，其中所述分段周期性结构彼此不同之处在于其中一个分段周期性结构缺少其对应精细元件的至少一者及/或其中一个分段周期性结构包括依精细节距的倍数彼此分离的精细元件的两个群组所述精细节距可经选定为对应于对应层中的装置精细节距。
不对称估计

[发明专利]一种超细节距全铜互连方法及超细节距全铜互连结构-CN202211371335.5有效
发明人：张昱;何钧宇;张冉远;黄文俊;崔成强;杨冠南 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种超细节距全铜互连方法及超细节距全铜互连结构，包括以下步骤：S1、制备纳米铜膏，通过加入溶剂、分散剂和粘度调节剂调配至一定浓度；S2、选取一定铜柱直径及数量的芯片和基板，并将基板及芯片清洗干净后进行预处理使铜柱结构朝外；S4、键合机的吸头吸取芯片将铜柱结构浸入纳米铜膏中蘸取后提起；S5、通入保护气体，铜柱与基板上对应的垫片通过键合机的光学系统对准并施加压力，超声和温度以进行键合；S6、室温下冷却得到超细节距全铜半导体互连结构本发明具有低温烧结，能实现超细节距互连上的极限，可以实现更细节距的互连，可满足高密度封装的要求。
一种细节距全铜互连方法结构

[发明专利]一种细节距BGA新型封装结构与滤波电容设计方法-CN201910865330.X在审
发明人：胡晋;金利峰;郑浩;王彦辉;李川;张弓 -专利权人：无锡江南计算技术研究所
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种细节距BGA新型封装结构与滤波电容设计方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）、设计BGA封装基板正面安装滤波电容；（2）、设计BGA封装引脚分配；（3）、设计封装基板背面的滤波电容布设区域采用本新型BGA封装结构与滤波电容设计方法，解决了因细节距BGA封装焊球高度受限带来的封装电容布局难题，为细节距BGA封装增加了封装背面电容，有效降低了封装电源分配系统电源阻抗特性，达到提高封装电源完整性的目的
滤波电容封装细节距电容电源分配系统新型封装结构电源完整性电源阻抗封装基板基板正面引脚分配布设焊球受限背面

[发明专利]光学编码器-CN201210043088.6有效
发明人：堀口春彦;名仓千裕 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2012-02-23 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： G01D5/347 文献下载
摘要：所述光学编码器包括：光源；被光源照射并在一个轨迹中具有细节距图案和粗节距图案的标尺；检测从光源发射的来自标尺的透射光或反射光的光电检测器阵列；包含从光电检测器阵列产生位置检测信号的第一初级放大器单元的信号处理单元所述光学编码器能够以高分辨率检测模式和低分辨率检测模式操作，所述高分辨率检测模式以第一节距形成光电检测器阵列来检测细节距图案，所述低分辨率检测模式以第二节距形成光电检测器阵列来检测粗节距图案。
光学编码器

[发明专利]细节距铜柱微凸点制备工艺-CN201510307277.3在审
发明人：何洪文;于大全;孙鹏;曹立强 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2015-06-05 - 公布日： 2015-11-04 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种细节距铜柱微凸点制备工艺，其特征是，包括以下步骤：（1）在晶圆表面电镀Ti/Cu种子层；（2）在Ti/Cu种子层表面沉积铜层；（3）在铜层表面制备钎料层；（4）在钎料层表面涂覆光刻胶层；（
细节距铜柱微凸点制备工艺

[发明专利]一种基于多尺度层次细节的仿真方法-CN200910238108.3无效
发明人：胡晓峰;司光亚;禹海全;罗批;张明智;李志强 -专利权人：胡晓峰;司光亚;禹海全;罗批;张明智;李志强
申请日： 2009-11-18 - 公布日： 2010-11-03 - 主分类号： G06T17/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于多尺度层次细节的仿真方法，该方法包括步骤：A、建立三维实体的层次细节模型(LOD)；B、对个体Agent进行分类；C、确定不同类型Agent进行决策层次转换的视点距；D、确定不同类型Agent进行决策转换的延时效应；以及E、确定三维实体进行层次细节转换的结构模型。
一种基于尺度层次细节仿真方法

[发明专利]一种大电流PMOS管与驱动器三维集成模块-CN202110783457.4在审
发明人：沈国策;周骏 -专利权人：南京国博电子股份有限公司
申请日： 2021-07-12 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种大电流PMOS管与驱动器三维集成模块，包括由上至下依次连接的驱动器电路层、细节距微凸点垂直传输层和大电流PMOS管电路层。在Z轴方向上集成了大电流PMOS管芯片和驱动器芯片，通过细节距微凸点垂直传输层实现二者的互联，能够通过外部的高低电平信号实现对射频组件中放大器的电源调制。
一种电流 pmos 驱动器三维集成模块

[发明专利]细节距单IC芯片封装件及其制备方法-CN201710656820.X在审
发明人：朱文辉;杨辉;李军辉;何虎;陈卓 -专利权人：中南大学
申请日： 2017-08-03 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明公开了一种细节距单IC芯片封装件及其制备方法，其中，封装件包括塑封体，塑封体内设有引线框架载体和多个框架引线内引脚，引线框架载体的上表面固接有IC芯片，IC芯片的上表面设有多个焊盘，多个焊盘呈两排平行布置
细节 ic 芯片封装及其制备方法

[发明专利]半导体装置及制造方法-CN201610816082.6在审
发明人：金进勇;郑季洋;元秋亨;安旷黄;林河贞;李泰勇;贝俊明 -专利权人：艾马克科技公司
申请日： 2016-09-09 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：作为非限制性实例，本发明的各种态样提供一种具有小尺寸及细节距的可堆叠半导体装置以及其制造方法。
半导体装置制造方法

[发明专利]一种集成电路封装的焊盘结构-CN201210283643.2有效
发明人：刘家伟;余咏梅;陈小红;兰海 -专利权人：福建闽航电子有限公司
申请日： 2012-08-10 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电路封装的焊盘结构，特别是细节距无引线片式载体陶瓷封装引出端与线路板之间的连接焊盘结构，它包括陶瓷外壳1、焊盘2、凸起3和互连盲孔4，陶瓷外壳1的内部布线通过互连盲孔4与焊盘2连接，可以满足细节距互连要求，凸起3位于焊盘2上并凸出于陶瓷外壳1的表面，组装后陶瓷外壳1、线路板5间形成与凸起3高度相当的间隙，利用此间隙可以很方便地进行检查和清洗，很容易把多余的焊料、焊剂清洗干净，从而杜绝了残留焊料
一种集成电路封装盘结

[实用新型]一种集成电路封装的焊盘结构-CN201220395661.5有效
发明人：刘家伟;余咏梅;陈小红;兰海 -专利权人：福建闽航电子有限公司
申请日： 2012-08-10 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种集成电路封装的焊盘结构，特别是细节距无引线片式载体陶瓷封装引出端与线路板之间的连接焊盘结构，它包括陶瓷外壳1、焊盘2、凸起3和互连盲孔4，陶瓷外壳1的内部布线通过互连盲孔4与焊盘2连接，可以满足细节距互连要求，凸起3位于焊盘2上并凸出于陶瓷外壳1的表面，组装后陶瓷外壳1、线路板5间形成与凸起3高度相当的间隙，利用此间隙可以很方便地进行检查和清洗，很容易把多余的焊料、焊剂清洗干净，从而杜绝了残留焊料
一种集成电路封装盘结

[发明专利]一种轻质量的直升机无轴承旋翼袖套-CN202111382041.8有效
发明人：赵文梅;汪亚敏;吴灵伟;熊绍海;王丁伟;李伟;杨建灵 -专利权人：中国直升机设计研究所
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： B64C27/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种轻质量的直升机无轴承旋翼袖套，包括：袖套主体，所述袖套主体包括典型段和夹板区；所述袖套主体模压成型，所述典型段的根部设置有至少三个变距摇臂接口，用于安装变距摇臂；所述夹板区由蒙皮和缠绕体模压成型；采用本发明的三个技术细节制造的袖套相比于初始设计状态达到了减重25％的目标。
一种质量直升机轴承袖套

[发明专利]多管芯超细节距片块架构和制造方法-CN202010219112.1在审
发明人： S.加内桑;K.麦卡菲;L.M.特里博莱特;D.马利克;R.V.马哈詹;R.L.桑克曼 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：实施例包括半导体封装以及用于形成所述半导体封装的方法。一种半导体封装包括在玻璃片块之上的桥。所述桥利用粘合层而被耦合到所述玻璃片块。所述半导体封装还包括在所述桥和玻璃片块之上的高密度封装（HDP）基板。所述HDP基板利用多个模塑通孔（TMV）而被导电地耦合到玻璃片块。所述半导体封装此外包括在所述HDP基板之上的多个管芯，以及在所述TMV、桥、粘合层和玻璃片块之上的第一包封层。所述HDP基板包括多个导电互连，所述多个导电互连将所述管芯导电地耦合到所述桥和玻璃片块。所述桥可以是嵌入式多管芯互连桥（EMIB），其中所述EMIB被通信地耦合到所述管芯，并且所述玻璃片块包括多个玻璃通孔（TGV）。
管芯细节距片块架构制造方法

[发明专利]一种超细节距半导体互连结构及其成型方法-CN202110661954.7有效
发明人：张昱;童金;崔成强;梁沛林;杨冠南 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及半导体生产制造领域，特别是一种超细节距半导体互连结构及其成型方法。所述成型方法中通过气相沉积装置制备出的纳米铜颗粒具有粒径可控，纯度高等特点，避免了化学法制备所带来的多种问题；所述成型方法可应用于包括半导体在内任何导电材料，灵活多高，可避免纳米铜颗粒存贮氧化等问题；能有效解决超细节距芯片与基板焊盘间定位差等问题
一种细节半导体互连结构及其成型方法

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